窒化物半導体結晶成長

Sapphire上青色LEDを初め、 各種単層膜を作製可能です。
ご要望に応じて柔軟に対応いたします。
Si、GaN、SiC基板上への成長も可能

サファイア基板上
青色LEDの発光写真

金属成膜・エッチング

LED等のデバイスプロセス工程にも
対応可能な装置ラインナップを有しています。

高光取出し効率LEDデバイス構造の一例

モスアイ加工技術の応用

ナノインプリント技術とドライエッチングにより
様々な材料・基板に適用可能です。
加工実績：
Sapphire , SiC, GaN,
InP, AlGaInP etc